FNIRSI DSO-TC4 Osciloscopio Digital 3 en 1 10MHz

FNIRSI DSO-TC4 OSCILOSCOPIO DIGITAL 3 EN 1 10MHz

DSO-TC4 es un osciloscopio de transistor multifuncional lanzado por FNIRSI, que es completo y práctico, y está diseñado para las industrias de mantenimiento e I+D. Integra un osciloscopio, un generador de señales y un transistor.

Las características principales del producto son:

Funciones de osciloscopio:

Tasa de muestreo: 48MSa/s

Ancho de banda analógico: 10MHz

Protección de voltaje: ±400V

Almacenamiento de formas de onda: soporta guardar y visualizar capturas de pantalla, lo que es conveniente para el análisis de datos

Función de generador de señales:

Soporta 13 salidas de forma de onda, rango de frecuencia 0-50KHz, voltaje de salida ajustable 0-3v.

Los parámetros de salida (frecuencia, amplitud, ciclo de trabajo) son ajustables, flexibles para satisfacer diversas necesidades

Función de transistor:

Alta eficiencia: Identifica automáticamente el tipo y la disposición de pines del componente probado, simplifica el proceso de operación y mejora la eficiencia de la prueba

Categorías diversas: Detecta y analiza el rendimiento y las características de componentes semiconductores como transistores, diodos, triodos, efecto campo (FET), etc.

Diseño portátil:

Equipado con una pantalla TFT a color de 2.8 pulgadas, la imagen es clara e intuitiva

Batería recargable de litio incorporada de alta capacidad (1500mAh), tiempo de espera 4 horas

Pequeño y ligero, adecuado para uso móvil.

Especificaciones:

Parámetros principales

Pantalla: Pantalla TFT a color de 2.8 pulgadas

Retroiluminación: Brillo ajustable

Fuente de alimentación: TYPE-C (5V/1A)

Batería: 3.7V/1500mAh

Idiomas: English, Deutsch, Portugués, Español.

Tamaño: 90x142x27.5mm

Peso del producto: 186g 

Parámetros del osciloscopio

Tasa de muestreo en tiempo real: 48MSa/s

Ancho de banda analógico: 10MHz

Impedancia de entrada: 1M

Modo de acoplamiento: AC/DC

Rango de voltaje de prueba: Sonda 1:1: 80Vpp (+40V) Sonda 10:1: 800Vpp (+400V)

Sensibilidad vertical: 10mV/div~10V/div (rango X1)

Desplazamiento vertical: Ajustable con indicación

Rango de base de tiempo: 50ns~20s

Modo de disparo: Auto/Normal/Single

Tipo de disparo: Borde ascendente, Borde descendente

Nivel de disparo: Ajustable con indicación

Congelación de forma de onda: Sí (función HOLD)

Medición automática: Máx, Mín, Prom, RMS, Vpp, Frecuencia, Ciclo, Ciclo de trabajo

Prueba de componentes:

Transistor: Factor de amplificación "hfe"; Voltaje base-emisor "Ube", Ic/Ie, Corriente de fuga inversa colector-emisor "Iceo", Ices, Caída de voltaje directa del diodo de protección "Uf"

Diodo: Caída de voltaje directa <5V (Caída de voltaje directa, Capacitancia de unión, Corriente de fuga inversa)

Diodo Zener: 0.01~32V Voltaje de ruptura inversa (Área de prueba K-A-A)

Transistor de efecto campo (FET): JFET: Capacitancia de puerta "Cg", Corriente de drenaje Id bajo "Vgs", Caída de voltaje directa del diodo de protección "Uf“ // IGBT: Corriente de drenaje Id bajo Vgs, Caída de voltaje directa del diodo de protección Uf // MIOSTET: Voltaje umbral "Vt", Capacitancia de puerta "Cg", Resistencia drenaje-fuente "Rds", Caída de voltaje directa del diodo de protección "Uf"

SCR unidireccional: Voltaje de disparo <5V, nivel de compuerta (Voltaje de compuerta)

SCR bidireccional: Corriente de disparo <6mA (Voltaje de compuerta)

Condensador: 25pF~100mF, valor de capacitancia, factor de pérdida "Vloss"

Resistor: 0.01~50M

Inductor: 10uH~1000uH, resistencia DC

DS18B20: Sensor de temperatura, Pines: GND, DQ, VDD

DHT11: Sensor de temperatura y humedad, Pines: VDD, DATA, GND

Parámetros del generador de señales:

Forma de onda de salida: Soporta 13 salidas de forma de onda

Frecuencia de la forma de onda: 0-50KHz

Ciclo de trabajo de la onda cuadrada: 0-100%

Amplitud de la forma de onda: 0.1V-3.0V